小改变大不同揭秘DDR4内存与DDR区别区域

DDR 内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底，各大厂商纷纷上架DDR4内存产品，起跳频率达到21 MHz，标志着DDR 时代的终结。

DDR4内存虽然酝酿了很长时间，但是由于DDR4内存标准一直迟迟未公布，厂家宣传也很少，导致友对DDR4内存了解甚少。那么今天笔者就带着大家提前进入DDR4内存时代。

DDR4与DDR 内存差异一：处理器

Haswell-E架构图解

每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持21 MHz，这相较IVB-E的DDR 原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR 和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。

DDR4与DDR 内存差异二：外型

DDR4金手指变化较大

大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。