GSSFinFETonSOI可使电池寿命

GSS：FinFET-on-SOI 可使电池寿命翻番

据Gold Standard Simulations Ltd.最近进行的TCAD模拟分析显示，在SOI晶圆上制造的完全耗尽型FinFET晶体管，其漏电流将能比在块状硅上制造的FinFET减少一半到三分之一左右。

GSS CEO Asen Asenov在该公司站上撰写了一系列采用其模拟工具分析FinFET的文章。最初是探讨英特尔的22nm块状硅工艺FinFET元件形状。该公司是采用其Garand statistical 3D TCAD模拟器来进行模拟。他的结论是，英特尔在22nm之后可能会发现必须转移到FinFET-on-SOI，而尚未引进FinFET的代工厂们，也必须更加关注SOI技术。

今年五月，GSS针对英特尔的三栅极(tri-gate)晶体管进行了模拟，指出该晶体管的截面图呈现梯形，且几乎是三角形的，而非矩形。六月份，GSS指出，矩形FinFET结构具有更优越的性能。Asenov表示，采用FinFET on SOI，将有助于生产出可预先确定和高度不可变的矩形鳍状晶体管。

Asenov在他的博客上表示，他们已经进行了一系列模拟，针对块状硅和SOI上不同栅极长度及不同宽度的FinFET进行了比较。这些FinFET大致都相容于20nm通道长度工艺节点。结论是，在驱动电流方面，FinFET-on-SOI稍微优于FinFET-on-bulk，但在漏电流方面FinFET-on-SOI表现杰出。

如图1所示，SOI FinFET的驱动电流较bulk FinFET高出5%。SOI的优势往往会随着鳍的宽度和栅极长度而减少。